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ON/安森美 場(chǎng)效應(yīng)管 FQP12P20 MOSFET 200V P-Channel QFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：FQP12P20
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：嵌入式/PLD(可編程邏輯器件)
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-04-15 07:11:31
  • 瀏覽次數(shù)：4

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1005條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-04-14
  • 最近登錄：2023-04-14
  • 聯(lián)系人：張總
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON/安森美型號(hào)：FQP12P20批號(hào)：21+封裝：原廠封裝數(shù)量：9000QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續(xù)漏極電流：11

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號(hào)：FQP12P20
批號(hào)：21+
封裝：原廠封裝
數(shù)量：9000
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝 / 箱體：TO-220-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)漏極電流： A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：470 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：30 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：120 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度： mm
長(zhǎng)度： mm
系列：FQP12P20
晶體管類型：1 P-Channel
寬度： mm
正向跨導(dǎo) - 最小值： S
下降時(shí)間：60 ns
上升時(shí)間：195 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
典型接通延遲時(shí)間：20 ns
零件號(hào)別名：FQP12P20_NL
單位重量： g
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