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ST/意法半導(dǎo)體 場效應(yīng)管 STF15N60M2-EP MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：STF15N60M2-EP
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-04-15 12:07:58
  • 瀏覽次數(shù)：5

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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1005條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-04-14
  • 最近登錄：2023-04-14
  • 聯(lián)系人：張總
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST/意法半導(dǎo)體
型號：STF15N60M2-EP
批號：21+
封裝：原廠封裝
數(shù)量：9000
QQ：
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝 / 箱體：TO-220FP-3
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：600 V
Id-連續(xù)漏極電流：11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：378 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V
Qg-柵極電荷：17 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：25 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
系列：STF15N60M2-EP
下降時間：15 ns
上升時間：10 ns
典型關(guān)閉延遲時間：40 ns
典型接通延遲時間：11 ns
單位重量： g
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