技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Infineon/英飛凌 |
| 型號： | IRF9530NPBF |
| 封裝： | TO-220 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 2500 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | P 通道 |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 79W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 100 V |
IRF9530NPBF 場效應(yīng)管 Infineon/英飛凌 封裝TO-220 批次21+
產(chǎn)品二維碼| 參 考 價: | 面議 |
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 產(chǎn)品型號：IRF9530NPBF
- 品牌：
- 產(chǎn)品類別：雙極晶體管/BJT
- 所在地：
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