技術(shù)參數(shù)
品牌: | ST/意法半導(dǎo)體 |
型號: | VND7NV04TR-E |
封裝: | TO-252 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 3000 |
制造商: | STMicroelectronics |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術(shù): | Si |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 45 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 6 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 60 mOhms |
Qg-柵極電荷: | 18 nC |
Pd-功率耗散: | 60 W |
資格: | AEC-Q101 |
系列: | VND7NV04 |
類型: | Low Side |
商標(biāo): | STMicroelectronics |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 9 S |
下降時間: | 350 ns |
濕度敏感性: | Yes |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時間: | 470 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 2500 |
子類別: | MOSFETs |
單位重量: | 4 g |
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