技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號(hào)： | NVMFD5C650NLWFT1G |
| 封裝： | DFN8 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 2500 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DFN-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 111 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | mOhms, mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 37 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Dual |
| 系列： | NVMFD5C650NL |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 商標(biāo)： | ON Semiconductor |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 120 S, 120 S |
| 下降時(shí)間： | 13 ns, 13 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時(shí)間： | 24 ns, 24 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 1500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 37 ns, 37 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 13 ns, 13 ns |
| 單位重量： | mg |
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