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深圳市龍旗電子有限公司

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STL42P6LLF6 場(chǎng)效應(yīng)管 ST/意法半導(dǎo)體 封裝QFN 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：STL42P6LLF6
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：PMIC/穩(wěn)壓器/開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-11 21:00:39
  • 瀏覽次數(shù)：4

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深圳市龍旗電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1109條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-11
  • 最近登錄：2023-06-11
  • 聯(lián)系人：萬(wàn)先生
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST/意法半導(dǎo)體
型號(hào)：STL42P6LLF6
封裝：QFN
批次：21+
數(shù)量：4500
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PowerFLAT-5x6-8
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：42 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：34 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓： V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1 V
Qg-柵極電荷：30 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：100 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：STripFET
系列：STL42P6LLF6
晶體管類型：1 P-Channel
商標(biāo)：STMicroelectronics
下降時(shí)間：21 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：39 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：171 ns
典型接通延遲時(shí)間： ns
單位重量：76 mg
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