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NTJD5121NT1G 場效應(yīng)管 ON/安森美 封裝SOT363 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:NTJD5121NT1G
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:雙極晶體管/BJT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-06-11 21:31:34
  • 瀏覽次數(shù):12

深圳市龍旗電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1109條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-06-11
  • 最近登錄:2023-06-11
  • 聯(lián)系人:萬先生
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:ON/安森美型號:NTJD5121NT1G封裝:SOT363批次:21+數(shù)量:10000制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-88-6通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60VId-連續(xù)漏極電流:295mARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ON/安森美
型號:NTJD5121NT1G
封裝:SOT363
批次:21+
數(shù)量:10000
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SC-88-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:295 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
高度: mm
長度:2 mm
系列:NTJD5121N
晶體管類型:2 N-Channel
寬度: mm
下降時間:32 ns
上升時間:34 ns
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
典型接通延遲時間:22 ns
單位重量:6 mg
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