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深圳市龍旗電子有限公司

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NTJD5121NT1G 場(chǎng)效應(yīng)管 ON/安森美 封裝SOT363 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：NTJD5121NT1G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：雙極晶體管/BJT
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-11 21:31:34
  • 瀏覽次數(shù)：9

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深圳市龍旗電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1109條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-11
  • 最近登錄：2023-06-11
  • 聯(lián)系人：萬先生
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON/安森美型號(hào)：NTJD5121NT1G封裝：SOT363批次：21+數(shù)量：10000制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-88-6通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續(xù)漏極電流：295mARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號(hào)：NTJD5121NT1G
封裝：SOT363
批次：21+
數(shù)量：10000
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SC-88-6
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：295 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：250 mW
配置：Dual
通道模式：Enhancement
高度： mm
長(zhǎng)度：2 mm
系列：NTJD5121N
晶體管類型：2 N-Channel
寬度： mm
下降時(shí)間：32 ns
上升時(shí)間：34 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：34 ns
典型接通延遲時(shí)間：22 ns
單位重量：6 mg
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