技術參數(shù)
品牌: | TI/德州儀器 |
型號: | CSD18533Q5A |
封裝: | VSONP-8 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 2000 |
制造商: | Texas Instruments |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | VSONP-8 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 60 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 100 A |
Rds On-漏源導通電阻: | mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | V |
Qg-柵極電荷: | 29 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
長度: | 6 mm |
系列: | CSD18533Q5A |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | mm |
正向跨導 - 最小值: | 122 S |
下降時間: | 2 ns |
上升時間: | ns |
典型關閉延遲時間: | 15 ns |
典型接通延遲時間: | ns |
單位重量: | mg |
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