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ON/安森美 場效應(yīng)管 FDMC510P MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：FDMC510P
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：雙極晶體管/BJT
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-12 08:55:44
  • 瀏覽次數(shù)：10

深圳市龍旗電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1109條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-11
  • 最近登錄：2023-06-11
  • 聯(lián)系人：萬先生
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON/安森美型號：FDMC510P封裝：Power-33-8批次：21+數(shù)量：3000類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號：FDMC510P
封裝：Power-33-8
批次：21+
數(shù)量：3000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商：onsemi
系列：PowerTrench®
FET 類型：P 通道
漏源電壓（Vdss）：20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Ta），18A（Tc）
驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）：，
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）：8 毫歐 @ 12A，
不同 Id 時 Vgs(th)（值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）：116 nC @ V
Vgs（值）：±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）：7860 pF @ 10 V
功率耗散（值）：（Ta），41W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerWDFN
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