技術(shù)參數(shù)
品牌: | ISSI/美國(guó)芯成 |
型號(hào): | IS43DR16640C-25DBL |
封裝: | N/A |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 5000 |
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
濕氣敏感性等級(jí) (MSL): | 3(168 小時(shí)) |
類別: | 集成電路(IC) |
產(chǎn)品族: | 存儲(chǔ)器 |
存儲(chǔ)器類型: | 易失 |
存儲(chǔ)器格式: | DRAM |
存儲(chǔ)容量: | 1Gb (64M x 16) |
存儲(chǔ)器接口: | 并聯(lián) |
時(shí)鐘頻率: | 400MHz |
寫周期時(shí)間 - 字,頁: | 15ns |
訪問時(shí)間: | 400ps |
電壓 - 供電: | ~ |
工作溫度: | 0°C ~ 85°C(TC) |
安裝類型: | 表面貼裝型 |
封裝/外殼: | 84-TFBGA |
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