產品詳情:
退火設備是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其 電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。
可以加熱晶片以激活摻雜劑,將薄膜轉化成薄膜或將薄膜轉化成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復注
入的損傷,移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。
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產品詳情:退火設備是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能
產品詳情:
退火設備是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其 電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。
可以加熱晶片以激活摻雜劑,將薄膜轉化成薄膜或將薄膜轉化成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復注
入的損傷,移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。
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