亚洲精品国产美女久久久,一个人看的视频www在线观看,中文无码久久精品,真人做人试看120分钟,亚洲国产精品久久久天堂

您好,歡迎來到全球供應網!請 |免費注冊

產品展廳本站服務收藏該商鋪

深圳市光華微科技有限公司

免費會員
手機逛
深圳市光華微科技有限公司
當前位置:深圳市光華微科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> FDC637BNZ場效應管 FDC637BNZ

場效應管 FDC637BNZ

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產品型號:FDC637BNZ
  • 品牌:
  • 產品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-12-06 14:49:22
  • 瀏覽次數(shù):1

聯(lián)系我時,請告知來自 全球供應網

深圳市光華微科技有限公司

其他

  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:1039條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-12-06
  • 最近登錄:2023-12-06
  • 聯(lián)系人:顏慧
產品簡介

技術參數(shù)品牌:FAIRCHILD/仙童型號:FDC637BNZ封裝:SMD批次:2019+數(shù)量:9000制造商:ONSemiconductor產品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:SSOT-6通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:6

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:FAIRCHILD/仙童
型號:FDC637BNZ
封裝:SMD
批次:2019+
數(shù)量:9000
制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SSOT-6
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:6.2 A
Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PowerTrench
高度:1.1 mm
長度:2.9 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:FDC637BNZ
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:1.6 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:6 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:6 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:22 ns
典型接通延遲時間:8 ns
單位重量:42 mg
上一篇: 293D157X0016E2TE3
下一篇: 932AF-100/104KTR1812FG
同類優(yōu)質產品

在線詢價

X

已經是會員?點擊這里 [登錄] 直接獲取聯(lián)系方式

會員登錄

X

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏!
標簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個,單個標簽最多10個字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復您~