產品簡介
技術參數(shù)品牌：VISHAY型號：SI2318CDS-T1-GE3封裝：SOT-23數(shù)量：90000描述：MOSFETN-CH40V5
詳情介紹
技術參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI2318CDS-T1-GE3 |
| 封裝： | SOT-23 |
| 數(shù)量： | 90000 |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 14 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-40V-5.6A（Tc）-1.25W（Ta）-2.1W（Tc）-SOT-23-3（TO-236） |
| 數(shù)據列表： | Si2318CDS; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI2318CDS-T1-GE3TR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 40V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 5.6A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 42 毫歐 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 9nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 340pF @ 20V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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