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硅鍺SiGe低噪聲低溫放大器 35dB±3dB 射頻頻率0.01-4.0GHz

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:CITLF3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2024-12-13 16:22:19
  • 瀏覽次數(shù):5

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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:3598條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2014-12-20
  • 最近登錄:2022-07-06
  • 聯(lián)系人:筱曉光子-Daisy
產(chǎn)品簡介

CITLF3硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器總覽CITLF3是一種硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用

詳情介紹
 

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器





總覽

CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當冷卻至 12K 或更低時,該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時的低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩(wěn)定的。雖然放大器適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個正直流電源供電,佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。


 
通用參數(shù)

主要特點

非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。

由單個正直流電源供電。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

2 針 Winchester DC 連接器。

可選的直流偏置三通。

可選輸入保護二管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。

 

性能特點@12K

射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

獲得

35dB±3dB

噪音溫度<4K

噪聲系數(shù)<0.06dB

佳直流電源

Vd=2.0V

ID=13.6mA

 

 

12 K時的電氣規(guī)格

Description

Typical

Minimum

Maximum

RF Frequency

射頻頻率

.03-5 GHz

0.01 GHz

4 GHz

Gain

33 dB

33 dB ± 3 dB

Noise Temperature

噪聲溫度

< 4 K

2.5 K

4 K

IRL (-20log|S11|)

-12 dB

< -10 dB

ORL (-20log|S22|)

-15 dB

< -10 dB

DC Voltage

直流電壓

2.0 V

1.2 V

3 V

DC Current

13.6 mA

2.7 mA

27.4 mA

 

300 K時的電氣規(guī)格

Description

Typical

Minimum

Maximum

RF Frequency

.03-5 GHz

0.01 GHz

4 GHz

Gain

30 dB

30 dB ± 5 dB

Noise Temperature

< 60K

40 K

74 K

IRL (-20log|S11|)

-10 dB

< -10 dB

ORL (-20log|S22|)

-15 dB

< -10 dB

DC Voltage

2.0 V

1.2 V

3 V

DC Current

14.6 mA

5.4 mA

27 mA

 

 

典型測試結(jié)果–12 K時的佳直流偏壓

 

 

 

 

 

 

典型測試結(jié)果–12 K時的直流偏壓掃描

 

 

 

 

 

 

典型測試結(jié)果–12 K時的低頻噪聲

 

 

 

典型測試結(jié)果–12 K時的低頻S參數(shù)

 

 

 

典型測試結(jié)果–12 K時的直流偏壓掃描

 

 

 

 

CAD外殼圖紙

 

 

 

更新時間:2023/5/24 17:35:17

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