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波長(zhǎng)范圍

350-1100nm

190-1100nm

320-1100nm

190-1100nm

感光尺寸

3.6mm×3.6mm

Φ9.8mm

響應(yīng)時(shí)間常數(shù)

10ns

0.5us

35ns

3us

帶寬范圍

DC～12MHz

DC～11MHz

增益范圍

Hi-Z負(fù)載：0.51kV/A～4.75MV/A；50Ω負(fù)載：0.75kV/A～2.38MV/A

信號(hào)幅值

Hi-Z負(fù)載：0～10V；50Ω負(fù)載：0V～5V

增益調(diào)節(jié)方式

旋轉(zhuǎn)檔位式調(diào)節(jié)：0～70dB，每10dB一檔，共8檔。帶寬與增益成反比。

光敏面深度

0.13" (3.3 mm)

探測(cè)器凈重

0.10kg

工作溫度

10-40℃

存儲(chǔ)溫度

-20-70℃

外觀(guān)尺寸

2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X    52.5 mm X 22.5 mm)

NEP

3.25~75.7 pW/Hz1/2

2.12~69.7pW/Hz1/2

2.67~71.7pW/Hz1/2

1.33~45.1pW/Hz1/2

供電接口

供電開(kāi)關(guān)

信號(hào)接口

增益調(diào)節(jié)

支桿接口

光學(xué)接口

LUMBERG RSMV3 FEMALE

滑動(dòng)開(kāi)關(guān)
     帶LED指示燈

BNC母座

8檔旋鈕

M4 X 2

SM1 X 1
     SM0.5 X 1

增益(Hi-Z)

1.51×103V/A

增益(Hi-Z)

4.75×103V/A

增益(Hi-Z)

1.5×104V/A

增益(Hi-Z)

4.75×104V/A

增益(50Ω)

0.75×103V/A

增益(50Ω)

2.38×103V/A

增益(50Ω)

0.75×104V/A

增益(50Ω)

2.38×104V/A

帶寬(BW)

12MHz

帶寬(BW)

1.6MHz

帶寬(BW)

1MHz

帶寬(BW)

260kHz

噪聲(RMS)

258uV

噪聲(RMS)

192uV

噪聲(RMS)

207uV

噪聲(RMS)

211uV

40dB

50dB

60dB

70dB

增益(Hi-Z)

1.51×105V/A

增益(Hi-Z)

4.75×105V/A

增益(Hi-Z)

1.5×106V/A

增益(Hi-Z)

4.75×106V/A

增益(50Ω)

0.75×105V/A

增益(50Ω)

2.38×105V/A

增益(50Ω)

0.75×106V/A

增益(50Ω)

2.38×106V/A

帶寬(BW)

90MHz

帶寬(BW)

28MHz

帶寬(BW)

9kHz

帶寬(BW)

3kHz

噪聲(RMS)

214uV

噪聲(RMS)

234uV

噪聲(RMS)

277uV

噪聲(RMS)

388uV

信號(hào)偏置

±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)

產(chǎn)品名稱(chēng)

材料

類(lèi)型

特點(diǎn)

波長(zhǎng)范圍 感光尺寸

預(yù)留可選配置

PD: "光電探測(cè)器"

S：Si硅基

A：放大型

A：可調(diào)增益

1A36：190-1100nm，3.6×3.6mm

1A98：190-1100nm，Φ9.8mm

3D98：320-1100nm，Φ9.8mm

3E36：350-1100nm，3.6×3.6mm

PDSAA1A36

A

190-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸3.6×3.6mm，0～70dB八檔定量可調(diào)增益，帶寬范圍DC～12MHz

PDSAA1A98

A

190-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸Φ9.8mm，0～70dB八檔定量可調(diào)增益，帶寬范圍DC～11MHz

PDSAA3D98

A

320-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸Φ9.8mm，0～70dB八檔定量可調(diào)增益，帶寬范圍DC～11MHz

PDSAA3E36

A

350-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸3.6×3.6mm，0～70dB八檔定量可調(diào)增益，帶寬范圍DC～12MHz