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銦鎵砷InGaAs光電二管探測(cè)器 截止波長(zhǎng)2.2±0.1um

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):GAP2000/2.2
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:單片機(jī)系列
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2024-12-19 10:03:51
  • 瀏覽次數(shù):6

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:3598條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2014-12-20
  • 最近登錄:2022-07-06
  • 聯(lián)系人:筱曉光子-Daisy
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銦鎵砷InGaAs光電二管探測(cè)器2.2um擴(kuò)展型GPDGAP2000/2.2總覽2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度

詳情介紹
 

銦鎵砷 InGaAs 光電二管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2




總覽

2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。

 

 
光譜響應(yīng)
2.2um 
 
感光規(guī)格
2mm Ø 
 
截止波長(zhǎng)
2.2±0.1um 
 
帶寬(Hz)
300 kHz-1MHz 
 
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn):

有效直徑2mm,3 mm可選

擴(kuò)展的截止波長(zhǎng)2.2μm

高分流電阻

封裝形式TO-5

 

產(chǎn)品應(yīng)用:

氣體檢測(cè)

碳?xì)浠衔飩鞲?/p>

紅外光譜

光譜學(xué)

SWIR光電探測(cè)

 

技術(shù)參數(shù):

電學(xué)參數(shù)@ 23 ºC ± 2 ºC

參數(shù)

 GAP2000/2.2

 GAP3000/2.2

單位

有效直徑

2

3

mm

峰值波長(zhǎng)(典型)

 2.0 ± 0.1

 2.0 ± 0.1

um

截止波長(zhǎng) (50%)

 2.2 ± 0.1

 2.2 ± 0.1

µm

響應(yīng)度@ λP(min/typ)

 0.9/1.0

 0.9/1.0

 A/W

分流電阻 (min/typ)

 6k/10k

 2k/6k

Ω

暗電流(max)

 40 @ 1 V

 100 @ 1 V

 µA

電容 (typ) @ 0 V

 4000

8000

pF

帶寬 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

 0.795

 0.397

 MHz

上升時(shí)間 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

 440

881

ns

NEP @ λPEAK (typ)

 128 x 10-14

287 x 10-14

W/Hz1/2

 線性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

6

6

dBm

封裝

TO-5

TO-5

 

 

大參數(shù)

參數(shù)

 GAP2000/2.2

 GAP3000/2.2

單位

存儲(chǔ)溫度

 -40 to 125

 -40 to 125

 ℃

工作溫度

 -40 to 85

 -40 to 85

 反向電壓

1

1

V

反向電流

10

10

mA

 正向電流

10

10

mA

功耗

50

50

mW

 

波長(zhǎng)響應(yīng)曲線

 

406.png

largearea_extended_ingaas_photodiodes.jpg

 

更新時(shí)間:2023/5/24 17:35:35

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