產(chǎn)品簡(jiǎn)介：用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點(diǎn),還具有蒸鍍速率快，電子束定位準(zhǔn)確能量密度高，可以避免坩堝材料的污染等特點(diǎn)。
| 產(chǎn)品型號(hào) | GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍 | ||
| 安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）； 2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動(dòng)范圍：小于±6％，必須有良好接地（對(duì)地電阻小于2Ω）； 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場(chǎng)地面積：設(shè)備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要（外排廢氣管道）； | ||
| 主要特點(diǎn) | 1、由于電子束定位準(zhǔn)確能量很高，可蒸發(fā)難熔金屬或化合物，蒸發(fā)速率快； 2、體積小，操作簡(jiǎn)便可以非常容易的放置材料和清理； 3、蒸發(fā)材料放置在水冷銅坩堝中，可避免坩堝材料的污染，制備高純薄膜； 4、由于蒸發(fā)物面積小，因而熱輻射損失小，熱效率高； | ||
| 技術(shù)參數(shù) | 1、極限真空度：≤6.67x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)； 2、系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 3、系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)夂?，再開(kāi)始抽氣，45分鐘可達(dá)到6.6x10-4 Pa； | ||
| 基片參數(shù) | 1、基片尺寸：可放置φ4″基片（帶手動(dòng)擋板）； 2、基片加熱溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環(huán)反饋控制； 3、基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～60轉(zhuǎn)/分； 4、基片與蒸發(fā)源之間距離300～350mm可調(diào)； | ||
| 電子束蒸發(fā)源參數(shù) | 1、E型電子槍，陽(yáng)極電壓6KV、8KV； | ||
| 真空腔體 | 1、U型真空室尺寸Ф500X600mm，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進(jìn)行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封； 2、真空腔體前開(kāi)門(mén)鉸鏈結(jié)構(gòu)，方便取、放樣品； 3、前開(kāi)門(mén)設(shè)有兩個(gè)觀察窗接口，可以觀察電子槍和基片； 4、設(shè)備預(yù)留膜厚儀接口，可選配膜厚儀； 5、高真空分子泵機(jī)組，閘板閥隔斷（也可使用高真空擋板閥）； | ||
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸：1800mm×1200mm×2000mm； | ||
| 標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
| 2 | 真空獲得機(jī)組 | 1套 | |
| 3 | 真空測(cè)量 | 1套 | |
| 4 | 電子槍 | 1套 | |
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