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電漿清洗機(jī)氫去除SiC表面污染物C和O：
       SiC該材料是三代半導(dǎo)體材質(zhì)，具有高臨界擊穿電場、高導(dǎo)熱性、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)。它是半導(dǎo)體功率器件的前沿方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導(dǎo)體器件低損耗的優(yōu)良性能，是半導(dǎo)體功率器件的前沿。
        但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點(diǎn)，使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結(jié)構(gòu)，這嚴(yán)重影響了功率器件的性能。電漿清洗機(jī)增強(qiáng)金屬有機(jī)物，化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以在低溫下產(chǎn)生低能離子和高電離度高濃度高活化高純氫等離子體，使得在低溫下除去C或OH-等雜質(zhì)離成為了可能。
        由濕法清洗后和電漿清洗機(jī)處理后的RHEED圖像，我們發(fā)現(xiàn)濕法處理SiC表面呈點(diǎn)伏狀，這表明經(jīng)濕法處理的SiC表面不平整，有局部的突出。而經(jīng)過電漿清洗機(jī)處理后的RHEED圖像成條紋狀，這表明表面非常平整。經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理的SiC表面存在的主要污染物為碳和氧。這些污染物在低溫條件下就可以與H原子發(fā)生反應(yīng)，以CH、和H2O的形式從表面去除掉。經(jīng)過處理后表面的氧的含量比傳統(tǒng)濕法清洗的表面氧含量顯著降低。
       我們知道表面存在雜質(zhì)C是制造半導(dǎo)體MOS器件或者歐姆接觸的一大障礙，如果經(jīng)plasma清洗機(jī)等離子體處理后Cls的高能尾巴消失，即CC-H污染消失，就會(huì)更容易制備高性能的歐姆接觸和MOS器件。經(jīng)等離子體處理后CIs的高能端尾巴消失，同時(shí)我們發(fā)現(xiàn)未經(jīng)等離子體處理的SiC表面Cls峰相對(duì)與等離子體后的Cls遷移了0.4ev，這是由于表面存在C/C-H化合物造成的。
       未經(jīng)過電漿清洗機(jī)處理的Si-C/Si-O譜峰強(qiáng)度之比(面積之比)為0.87。經(jīng)過處理的Si-C/Si-O的XPS譜峰強(qiáng)度之比(面積之比)為0.21,與沒有經(jīng)等離子體處理的相比下降了75%。經(jīng)過濕法處理的表面Si-O的含量明顯高于經(jīng)過等離子體處理的表面。高能電子衍射(RHEED分析發(fā)現(xiàn)等離子處理后的SiC表面比傳統(tǒng)濕法處理的SiC表面更加平整，而且處理后表面出現(xiàn)了(1x1)結(jié)構(gòu)。
電漿清洗機(jī)氫處理可以有效除去表面的碳污染，暴露在空氣中30分鐘后，發(fā)現(xiàn)經(jīng)電漿清洗機(jī)處理的SiC表面氧的含量能明顯低于傳統(tǒng)濕法清洗的表面，經(jīng)等離子處理的表面抗氧化能力顯著提高，這就為制造歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS器件打下了良好的基礎(chǔ)。