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光刻膠灰化、剝離和浮渣以及硅片的有機(jī)污染物去除

2024年12月30日 09:06:34      來(lái)源：武漢月憶神湖科技有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量：17

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干式光刻膠灰化、剝離和脫渣使用氧等離子體產(chǎn)生自由基氧，以化學(xué)方式去除硅片上的光刻膠層。氧等離子體灰化的副產(chǎn)物是無(wú)毒的。它比濕法蝕刻工藝更環(huán)保。等離子體內(nèi)的高能電子可以分解氧分子并產(chǎn)生活性氧原子。然后，氧自由基可以氧化光刻膠并產(chǎn)生高蒸氣壓副產(chǎn)物 CO、CO2 和 H2O。添加少量的CF4或SF6氣體可以顯著提高光刻膠的蝕刻速率，因?yàn)楦呋钚苑涌梢蕴岣邚墓饪棠z聚合物中提取氫氣的速度。

光刻膠的氧等離子體灰化

在 Tergeo-plus 等離子體系統(tǒng)中使用氧等離子體進(jìn)行光刻膠灰化。

光刻膠脫渣是光刻膠圖案化和顯影后的一種額外的溫和光刻膠蝕刻工藝。它用于去除殘留在發(fā)達(dá)區(qū)域的殘留光刻膠浮渣。這種殘留物會(huì)阻止后續(xù)的干法或濕法刻蝕步驟，并影響晶圓上蝕刻速率的均勻性。除渣步驟還可以改善光刻膠掩模的側(cè)壁輪廓，提高工藝均勻性。

使用氧等離子體的光刻膠脫渣
抗圖案化和顯影后的殘留物

對(duì)于在硅或石英晶圓上制造的MEMS器件，晶圓表面的有機(jī)污染物會(huì)增加水接觸角，使表面疏水。氧等離子體處理可以很容易地去除有機(jī)污染物，使表面具有親水性。在執(zhí)行引線(xiàn)鍵合步驟之前，去除焊盤(pán)上的有機(jī)污染物也很重要。

等離子清洗前的硅晶圓表面
等離子清洗后的硅晶圓表面

氧等離子清洗可以去除晶圓表面的有機(jī)污染物，提高表面潤(rùn)濕性

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