半電波暗室（Semi-Anechoic Chamber，簡(jiǎn)稱(chēng)SAC），也稱(chēng)做EMC暗室，除地面為金屬反射面外，其余五面均貼有吸波材料，主要模擬開(kāi)闊場(chǎng)的測(cè)試條件。主要用于輻射騷擾（EMI）和輻射敏感度（EMS）測(cè)量，部分輻射敏感度試驗(yàn)會(huì)在地面增加吸波材料以提高場(chǎng)均勻性。
暗室主要部件組成：
暗室方案選擇的主要依據(jù)：
◆ 產(chǎn)品(EUT)測(cè)試類(lèi)型：民用產(chǎn)品測(cè)試、車(chē)載零部件、軍標(biāo)測(cè)試。
◆ 產(chǎn)品（EUT）尺寸：尺寸越大，靜區(qū)要求越大，實(shí)驗(yàn)室尺寸越大。
◆ 用途：整改研發(fā)預(yù)測(cè)試或第三方認(rèn)證測(cè)試用。
常用暗室類(lèi)型及主要特點(diǎn)：
1、EMC預(yù)測(cè)試→3m法緊湊型電波暗室
測(cè)試距離為3m，采用緊湊型設(shè)計(jì)，減小外形尺寸，只需較低的投入就可以獲得相對(duì)準(zhǔn)確的結(jié)果，特別適用于建設(shè)在空間受限的場(chǎng)所，是整改研發(fā)不錯(cuò)的選擇。
2、EMC認(rèn)證級(jí)測(cè)試 被試品直徑≤2m→標(biāo)準(zhǔn)3m法電波暗室
主要用于3m測(cè)試距離的輻射騷擾測(cè)試（RE）和輻射抗擾度（RS）的認(rèn)證性測(cè)試，是目前國(guó)際上廣泛采用的EMC試驗(yàn)場(chǎng)地。
3、EMC認(rèn)證級(jí)測(cè)試，被試品直徑≤3m→標(biāo)準(zhǔn)5m法電波暗室
由于天線(xiàn)與暗室墻壁間的距離相比3m法暗室更大，所以更易符合歸一化場(chǎng)地衰減的規(guī)定，可以測(cè)試較大體積的EUT。
4、EMC認(rèn)證級(jí)測(cè)試，被試品直徑≤5m→標(biāo)準(zhǔn)10m法電波暗室
能滿(mǎn)足大體積被試品的輻射騷擾測(cè)試要求，如汽車(chē)、大型醫(yī)療設(shè)備、大型IT產(chǎn)品等，是眾多EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中理想測(cè)試場(chǎng)地。
5、車(chē)載電子零部件→1m法汽車(chē)零部件電波暗室
專(zhuān)門(mén)用于汽車(chē)電子零部件的輻射測(cè)量的電波暗室，適用于汽車(chē)零部件的研究、開(kāi)發(fā)以及品質(zhì)控制，可針對(duì)包括DUT主件、線(xiàn)束、輔助裝置等整個(gè)系統(tǒng)的分析。
6、產(chǎn)品→軍標(biāo)EMC測(cè)試電波暗室
產(chǎn)品需滿(mǎn)足GJB151B等電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)，采用1m法軍標(biāo)EMC測(cè)試電波暗室。
7、天線(xiàn)雷達(dá)測(cè)量暗室→微波暗室
微波暗室（Fully Anechoic Chamber, 簡(jiǎn)稱(chēng)FAC），主要模擬宇宙自由空間環(huán)境，在暗室屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)的六個(gè)面均鋪設(shè)有吸波材料，
主要用于微波天線(xiàn)系統(tǒng)（包括基站天線(xiàn)）的參數(shù)測(cè)量、雷達(dá)截面測(cè)試（RCS）、電子戰(zhàn)及仿真模擬，輻射雜散等測(cè)試。
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