在簡(jiǎn)單的平行電子束電子碰撞源中，離子源的電離效率主要取決于電離區(qū)域中電子軌跡的平均長(zhǎng)度。參考文獻(xiàn)[214]介紹了一種簡(jiǎn)單的電子振蕩型離子源，如圖12-11所示，其陰極與陰極的電位相同。從陰極發(fā)射的電子在陰極和相對(duì)的陰極之間來回振蕩，從而增加了電子軌跡的長(zhǎng)度并提高了離子源的電離效率。 UTI-100B四極質(zhì)譜儀使用BA型非磁性電子振蕩離子源（圖12-12）。在電子被柵極加速后，它們穿過電離區(qū)域并被相對(duì)的反射器排斥并返回，并在其中丟失。電子先前已經(jīng)在電離區(qū)域中來回振蕩了幾次。因?yàn)殡娮拥挠行к壽E長(zhǎng)度增加，所以離子源的電離效率高。由于此離子源通常在較大的發(fā)射電子流（SmA友權(quán)）下工作，因此在電子空間電荷的作用下，離子源軸上的電勢(shì)會(huì)降低，從而使離子集中在離子束的軸上。來源這對(duì)離子提取很有用。因此，該離子源的靈敏度比普通尼爾源的靈敏度高一個(gè)數(shù)量級(jí)。
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