技術(shù)參數(shù)
品牌: | INFINEON/英飛凌 |
型號: | IPD90N04S4-04 |
封裝: | PG-TO252-3 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 3000 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 40 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 90 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 4 V |
Qg-柵極電荷: | 33 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 71 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
資格: | AEC-Q101 |
高度: | mm |
長度: | mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | mm |
下降時間: | 11 ns |
上升時間: | 11 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 9 ns |
典型接通延遲時間: | 10 ns |
零件號別名: | IPD90N04S404ATMA1 SP000646186 IPD9N4S44XT IPD90N04S404ATMA1 |
單位重量: | 4 g |
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