技術(shù)參數(shù)
品牌: | ON |
型號(hào): | FDV303N |
封裝: | SOT-23-3 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 51000 |
制造商: | ON Semiconductor |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | SOT-23-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 25 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 680 mA |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 450 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 8 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 350 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.2 mm |
長(zhǎng)度: | 2.9 mm |
系列: | FDV303N |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 1.3 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 1.45 S |
下降時(shí)間: | 8.5 ns |
上升時(shí)間: | 8.5 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 17 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 3 ns |
零件號(hào)別名: | FDV303N_NL |
單位重量: | 8 mg |
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