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筱曉（上海）光子技術有限公司

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筱曉（上海）光子技術有限公司
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無掩膜數(shù)字光刻機 波長365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號：
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2024-12-14 18:57:38
  • 瀏覽次數(shù)：5

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筱曉（上海）光子技術有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：3598條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2014-12-20
  • 最近登錄：2022-07-06
  • 聯(lián)系人：筱曉光子-Daisy
產(chǎn)品簡介

筱曉光子無掩膜數(shù)字光刻機MCML-110A總覽產(chǎn)品特點采用數(shù)字微鏡(DMD)的無掩膜掃描式光刻機，365nm波長直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件全自動化的對焦和套刻，易于使用晶圓連續(xù)運動配合DMD動態(tài)曝光，無拼接問題

詳情介紹
 

筱曉光子 無掩膜數(shù)字光刻機 MCML-110A




總覽

產(chǎn)品特點

采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機，365nm波長

直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件

全自動化的對焦和套刻，易于使用

晶圓連續(xù)運動配合DMD動態(tài)曝光，無拼接問題。全幅面定位精度0.1um

套刻精度： 0.2um

500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圓），滿幅面曝光時間5~30分鐘

500um小線寬

可灰度曝光（128階）

尺寸小巧，可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間

 

 
通用參數(shù)

應用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工

帶有2.5D圖案的微光學元件，衍射光器件制作

 教學、科研

 

參數(shù)

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波長

365nm

365nm

Max. frame 大幀

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

對準精度

<200nm

<100nm

field curvature

場曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm2 /sec

2.5mm2 /sec

Input file

輸入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

環(huán)境

20~25℃

20~25℃

 

樣品


 

 

 

（SU8-2002, 2um膠厚，2寸硅基底）






 


總覽

產(chǎn)品特點

采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機，365nm波長

直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件

全自動化的對焦和套刻，易于使用

晶圓連續(xù)運動配合DMD動態(tài)曝光，無拼接問題。全幅面定位精度0.1um

套刻精度： 0.2um

500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圓），滿幅面曝光時間5~30分鐘

500um小線寬

可灰度曝光（128階）

尺寸小巧，可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間

 

 
通用參數(shù)

應用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工

帶有2.5D圖案的微光學元件，衍射光器件制作

 教學、科研

 

參數(shù)

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波長

365nm

365nm

Max. frame 大幀

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

對準精度

<200nm

<100nm

field curvature

場曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm2 /sec

2.5mm2 /sec

Input file

輸入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

環(huán)境

20~25℃

20~25℃

 

樣品


 

 

 

（SU8-2002, 2um膠厚，2寸硅基底）

更新時間：2023/5/24 17:35:26

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