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深圳市龍旗電子有限公司

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IRF7351TRPBF 場效應(yīng)管 INFINEON/英飛凌 封裝SOIC-8 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號：IRF7351TRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：雙極晶體管/BJT
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-12 07:05:38
  • 瀏覽次數(shù)：10

深圳市龍旗電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1109條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-11
  • 最近登錄：2023-06-11
  • 聯(lián)系人：萬先生
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號：IRF7351TRPBF封裝：SOIC-8批次：21+數(shù)量：3500制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續(xù)漏極電流：8ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：17

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON/英飛凌
型號：IRF7351TRPBF
封裝：SOIC-8
批次：21+
數(shù)量：3500
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SO-8
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
Qg-柵極電荷：24 nC
Pd-功率耗散：2 W
配置：Dual
高度： mm
長度： mm
晶體管類型：2 N-Channel
寬度： mm
商標：Infineon Technologies
產(chǎn)品類型：MOSFET
工廠包裝數(shù)量：4000
子類別：MOSFETs
單位重量：165 mg
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