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高真空PECVD系統(tǒng)

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2024-08-09 10:44:59
  • 瀏覽次數(shù):8

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沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1107條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2015-09-27
  • 最近登錄:2024-08-06
  • 聯(lián)系人:
產(chǎn)品簡介

詳情介紹

產(chǎn)品簡介:高真空PECVD系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用來在硅片上沉積SiOxSiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,鍍膜樣品為156*156mm基片(并向下兼容)。

產(chǎn)品型號

高真空PECVD系統(tǒng)

主要特點

1、系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu),手動前開門;

2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口,并帶擋板,真空尺寸為300mm×300×280mm;

3、采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式

4、氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng),真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置

5、系統(tǒng)設(shè)有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

技術(shù)參數(shù)

1、停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度:≤5 Pa;

2、樣品加熱加熱溫度:300℃,溫控精度:±1°C,采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫;

3、噴淋頭尺寸:200×200mm,噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào),并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示,采用金屬焊接波紋管+進(jìn)口直線導(dǎo)軌+進(jìn)口絲杠+進(jìn)口光軸方式,升降平穩(wěn)、無抖動,保證了電極與樣品的平行度;

4、 沉積工作真空:13-1300Pa;

5、射頻電源:頻率 13.56MHz,功率500W,全自動匹配;

6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路氣體,共計使用6個質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

標(biāo)準(zhǔn)配件

 

可選配件

 

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